生成式 AI 對高頻寬記憶體（HBM，高頻寬記憶體）需求暴增，三星、SK海力士、美光把先進晶圓產能轉向 HBM，通用記憶體產能被擠出。2026 上半年通用記憶體合約價近乎翻番，NAND 漲逾 50%，存儲芯片供銷缺口普遍超 4%，創逾 10 年新高。
呢輪同以往唔同嘅核心，係 HBM。HBM 把多個 DRAM 晶片垂直堆疊，數據吞吐量極高，主要餵 AI 晶片用——GPU 係大腦，HBM 就係輸送數據嘅高速公路。訓練一個千億參數大模型，要成千上萬顆 GPU 晝夜不停，每顆先進 GPU 都要配數顆 HBM。2026 全球 HBM 市場規模預計突破 600 億美元，SK海力士同美光已宣佈 2026 年產能全部售罄，客户甚至提前鎖定 2027 至 2028 年供應量。
更要命嘅係，HBM 晶片面積（die area）係同等容量一般記憶體嘅 2–3 倍，生產 1GB HBM 就須放棄約 3GB 通用記憶體產出。全球約七成先進存儲產能已被 AI 數據中心佔用，手機電腦只爭剩下三成。
終端已經貴咗
蘋果將眼下供需緊張形容為「百年一遇嘅洪災」。存儲芯片佔智能手機 BOM（物料清單成本）比例由以往 10–15% 飆至 30% 以上，部分大存儲旗艦機近 50%。12GB 手機記憶體採購價由 200 元升至近 600 元，1TB NAND 由 200 元升至 600 元。
iPhone 18 Pro 及 Pro Max 售價較前代提高新台幣 5000 元以上，iPhone Air 1TB 版本一次調漲 1 萬 1000 元；三星 Galaxy S26 Ultra 16GB/1TB 由 59,900 元調高至 67,900 元；OPPO Find X10 Pro Max 16GB/512GB 售 58,990 元，vivo X500 Pro Max 55,990 元起。
邊個在賺嘢、邊個在付出？
DigiTimes 估計 HBM4 於 2026 下半年市場單價約 2 美元/GB，2027 年漲至 4–5 美元/GB；摩根大通預計 2027 年全球 HBM 綜合平均售價按年升 54%、2028 再升 25%。
三大存儲原廠 2026 年資本支出合計超 500 億美元，三星單家投超 110 兆韓元，但新增產能幾乎全部指向 HBM 及服務器 DRAM，消費級記憶體反而可能更緊。新建專用晶圓廠從動工到量產至少兩年，投產後產線幾乎不可逆地鎖定，無法輕轉回生產手機電腦記憶體。
vivo 台灣區總經理陳怡婷預期漲勢至少延續至 2027 年首季；三星台灣總經理陳啟蒙認為明年底前記憶體需求「相當熱情」；OPPO 台灣市場總經理劉金引述研調機構預測，漲價壓力或延伸至 2028 年。各品牌以折扣購機優惠、產品組合調整同成本管控應對。
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